HMC1099PM5E原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-32
类型	Power Amplifier
技术	GaN
工作频率	0.01 GHz to 1.1 GHz
增益	18.5 dB
工作电源电压	28 V
NF—噪声系数	5 dB
测试频率	0.7 GHz to 1.1 GHz
OIP3 - 三阶截点	47 dBm
工作电源电流	100 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC1099
封装	Tray
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
开发套件	EV1HMC1099LP5D
输入返回损失	12 dB
Pd-功率耗散	12.5 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
GTVA263202FC-V1-R2	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥1,866.1385	参考库存:58665
EZR32WG230F256R68G-B0R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 256 kB M4, +20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU	1,000:¥40.4201	参考库存:58670
NRF24LE1-O17C32-R7	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 ULTR-LW POW WIRELS SOC SOL	2,500:¥16.5997 5,000:¥15.142	参考库存:58675
SM0509-M1	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	95:¥77.2242 100:¥69.6984 250:¥64.0823 500:¥58.3984	参考库存:58680
PTVA120501EA-V1-R250	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥640.4614	参考库存:58685