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无线和射频半导体
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MRFX600HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,042.1086
1042.1086
5
¥1,021.6669
5108.3345
10
¥974.0261
9740.261
25
¥953.5844
23839.61
50
¥953.5844
47679.22
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
193 V
增益
26.4 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-780H-4L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935376369178
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5387ACPZ-WP
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 30MHz-2GHz Quadrature
1:¥85.1342
10:¥77.2242
25:¥72.6138
50:¥69.9244
参考库存:1341
PD55008S-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
250:¥89.1344
参考库存:2228
QPF4519SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 WiFi FEM 802.11a/n/ac
1:¥37.0414
25:¥34.578
100:¥34.578
200:¥31.7304
500:¥27.6624
参考库存:1515
RF5521SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM
1:¥9.9101
100:¥9.9101
200:¥9.1417
参考库存:1722
D1029UK
Semelab / TT Electronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
1:¥1,916.2314
10:¥1,692.0959
25:¥1,535.2632
50:¥1,439.9816
参考库存:1324

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    50万现货SKU

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