F1975NCGI原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	TQFN-24
最大衰减	31.1 dB
最大频率	3 GHz
位数	6 bit
通道数量	1 Channel
阻抗	75 Ohms
最大 VSWR	-
衰减器步长	0.5 dB
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
功率额定值	34 dBm
系列	F1975
技术	Silicon
类型	Digital Step Attenuator
商标	IDT
介入损耗	1.2 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	5 MHz
工作电源电压	5.25 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC870LC5TR-R5	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 MZ Optical Mod Driver SMT, DC - 20 GHz	500:¥2,108.7947	参考库存:41395
DMJ2246-000	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 Band Ku Anti Parallel	100:¥80.6029 300:¥74.4557 500:¥71.6872	参考库存:41400
MMRF1008GHR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1008GH/CFM2///REEL 13	50:¥1,758.8676	参考库存:41405
LX5584HLL	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.5G Front-end Module 2.5x2.5x0.4	4,500:¥6.9043 5,000:¥6.6444	参考库存:41410
MHT1004GNR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP	250:¥853.15	参考库存:41415

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