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无线和射频半导体
MRFE6S9060NR1参考图片

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MRFE6S9060NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET
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库存:4,916(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥275.2454
275.2454
5
¥266.0924
1330.462
10
¥256.8716
2568.716
25
¥253.8771
6346.9275
500
¥206.0894
103044.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
66 V
增益
21.1 dB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
1 GHz
系列
MRFE6S9060NR1
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935309637528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 3.6-3.8GHz Switch LNA Module
1:¥224.531
25:¥171.9634
100:¥134.3118
参考库存:2541
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO
1:¥65.6191
10:¥61.7771
25:¥59.8561
50:¥57.856
参考库存:4363
无线和射频半导体
射频放大器 2.0-2.4GHz .25Watt Gain 38dB
1:¥62.7037
25:¥48.025
100:¥37.4934
200:¥31.0411
500:¥27.8884
参考库存:2435
无线和射频半导体
射频放大器 .5-6GHz NF 1.4dB Gain 16.3dB
1:¥49.5618
25:¥37.9567
100:¥29.6625
250:¥24.5888
2,500:¥19.3682
参考库存:17247
无线和射频半导体
射频检测器 RMS Power Detector 2-6GHz
1:¥51.9461
10:¥40.1828
100:¥36.499
250:¥33.0412
1,000:¥24.2046
参考库存:6044
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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