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无线和射频半导体
QPD1000参考图片

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QPD1000

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
817 mA
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
28.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131140
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 OL2385AHN/HVQFN48//001A1/REEL 13 Q1 DP
4,000:¥16.1364
参考库存:53066
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 2.4G 19 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC
2,500:¥68.9978
参考库存:53071
无线和射频半导体
射频检测器 RF Power Detector w/ 12MHz BW
2,500:¥14.5996
5,000:¥14.2945
参考库存:53076
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE
50:¥544.1854
100:¥529.2016
参考库存:53081
无线和射频半导体
射频放大器 45-1200MHz Gain 25dB NF 4.4dB P1dB 29 dBm
1,000:¥68.2294
参考库存:53086
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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