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无线和射频半导体
QPD1000参考图片

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QPD1000

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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库存:4,165(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
817 mA
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
28.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131140
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 MEMORY
1:¥7.9891
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
参考库存:6746
无线和射频半导体
调节器/解调器 MODULATOR/DEMOD IC
1:¥179.8056
5:¥173.7375
10:¥167.5903
25:¥159.5221
参考库存:9448
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SIP Module LTE-M-NBIOT-GPS
1:¥205.9312
5:¥194.1001
10:¥188.258
25:¥182.4159
参考库存:4980
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:4267
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN32 2.4 G 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO
1:¥47.4826
10:¥46.6464
25:¥45.7198
50:¥43.957
参考库存:6494
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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