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无线和射频半导体
MMRF5014H-500MHZ参考图片

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MMRF5014H-500MHZ

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
P-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
350 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18 dB
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360H-2SB
工作频率
1 MHz to 2700 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
232 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, 0 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935345452598
单位重量
500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFR32FG13P232F512GM48-CR
Silicon Labs
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参考库存:52967
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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50:¥878.2021
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CYW20736A1KWBGT
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EFR32FG13P231F512IM48-CR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dB proprietary 512 kB 646 kB (RAM) 31GPIO SoC
2,500:¥43.1886
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NJG1654HD3
NJR
无线和射频半导体
RF 开关 IC 1 Bit SW Hi Pwr SPDT
3,000:¥5.8082
参考库存:52987

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