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无线和射频半导体
MRF6V12250HR5参考图片

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MRF6V12250HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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库存:2,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,834.4759
1834.4759
5
¥1,795.7508
8978.754
10
¥1,756.9466
17569.466
50
¥1,756.9466
87847.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310098178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4 GHZ Hi Isolation Switch
1:¥51.9461
10:¥46.9515
25:¥44.7932
100:¥38.8833
500:¥33.8887
参考库存:5582
无线和射频半导体
射频收发器 (contact local sales office)850MHz to 950MHz, 2.0V to 2.5V FSK Transceiver with +10dBm Power Amplifier
1:¥20.1366
10:¥19.8202
25:¥18.5207
100:¥16.7466
1,000:¥16.7466
参考库存:6089
无线和射频半导体
射频放大器 Low noise high linearity amplifier
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
2,000:¥8.8366
参考库存:21761
无线和射频半导体
射频混合器 300MHz - 4GHz High Linearity Active Downconverting Mixer with Wideband IF
1:¥120.9439
25:¥80.2978
100:¥66.3875
250:¥63.0879
参考库存:3313
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz P1dB 26.5dBm 3.3Volt 802.11 bgn
1:¥10.1474
10:¥8.1473
100:¥6.2602
500:¥5.537
3,000:¥3.8759
参考库存:13060
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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