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无线和射频半导体
PD84008L-E参考图片

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PD84008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:16,610(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
0.88 mm
长度
5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84008L-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
数字电位计 IC VR12.5/6 Controller
6,000:¥23.3571
参考库存:29202
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz
1:¥427.3886
5:¥414.4727
10:¥401.489
25:¥388.5844
参考库存:3026
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-20GHz SPDT GaAs IL 2.5dB max
1:¥174.1217
10:¥158.0644
25:¥146.5384
50:¥138.086
1,000:¥102.039
参考库存:6318
无线和射频半导体
射频混合器 Single 2GHz Low Side Inject w/o IF Amp
1:¥96.6602
10:¥87.6767
25:¥82.4448
50:¥79.3712
1,500:¥56.3983
参考库存:7390
无线和射频半导体
射频放大器 E-band 81-86 GHz VGA
2:¥1,020.8985
6:¥1,002.3778
10:¥972.6362
26:¥938.1373
参考库存:2162
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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