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无线和射频半导体
PD84008L-E参考图片

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PD84008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:16,610(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
0.88 mm
长度
5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84008L-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 400MHZ-2700MHZ 0.5W HI LINEARITY SILICON
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9892
参考库存:5333
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.5dB Attenuation 10.0dB
1:¥0.92208
50:¥0.84524
100:¥0.7684
500:¥0.69156
10,000:¥0.61472
参考库存:47835
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
1:¥1,078.6754
2:¥1,048.866
5:¥1,024.8196
10:¥994.9198
参考库存:2517
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2x2 Active Switch Matrix
1:¥44.9514
10:¥40.4201
100:¥33.1203
250:¥31.4253
参考库存:4589
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:44321
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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