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无线和射频半导体
EM3581-RTR参考图片

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EM3581-RTR

  • Silicon Labs
  • 新批次
  • RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--256 kB flash+32 kB RAM
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库存:7,222(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥57.7882
57.7882
10
¥54.5564
545.564
25
¥52.9405
1323.5125
50
¥51.3246
2566.23
2,000
¥43.3355
86671
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Silicon Laboratories
产品种类
RF片上系统 - SoC
RoHS
类型
Zigbee
核心
ARM Cortex M3
工作频率
2.4 GHz
最大数据速率
5 Mb/s
输出功率
8 dBm
灵敏度
- 100 dBm
工作电源电压
2.1 V to 3.6 V
接收供电电流
28 mA
传输供电电流
45 mA
程序存储器大小
256 kB
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
封装 / 箱体
QFN-48
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
7 mm
程序存储器类型
Flash
系列
EM358x
宽度
7 mm
商标
Silicon Labs
数据 RAM 大小
32 kB
数据 Ram 类型
RAM
接口类型
SPI, UART
安装风格
SMD/SMT
输入/输出端数量
24 I/O
ADC分辨率
14 bit
数据总线宽度
32 bit
最大时钟频率
24 MHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
定时器数量
2 Timer
处理器系列
EM3581
产品类型
RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量
2000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
150.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 12 GHz
暂无价格
参考库存:40075
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-By-2 Chip, DC - 11 GHz
暂无价格
参考库存:40080
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 24 - 36 GHz
暂无价格
参考库存:40085
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:40090
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, 10 - 26 GHz
暂无价格
参考库存:40095
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    50万现货SKU

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