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无线和射频半导体
RFFM4203TR7参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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RFFM4203TR7

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频前端 2.412 - 2.484 GHz 21.5dBm, 25 dB
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库存:14,874(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
250
¥17.1308
4282.7
500
¥14.9838
7491.9
1,000
¥12.4526
12452.6
2,500
¥10.2943
25735.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频前端
RoHS
类型
Wi-Fi
工作频率
2.4 GHz to 2.5 GHz
NF—噪声系数
2.3 dB
工作电源电压
3 V to 5 V
工作电源电流
260 mA
最大工作温度
+ 85 C
最大数据速率
1 Mb/s
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Qorvo
增益
13 dB, 27 dB
开发套件
RFFM4203PCK-410
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
27 dBm
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
2500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC 1 WATT PA 7.0 - 9.0GHz
2:¥818.1878
6:¥791.8362
10:¥776.0049
26:¥744.3536
参考库存:55519
无线和射频半导体
射频放大器 A2I08H040GN/FM15F///REEL 13 Q2 DP
1:¥405.7943
5:¥383.8949
10:¥378.437
25:¥351.0006
500:¥277.8557
参考库存:55524
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥3,821.8634
5:¥3,591.5016
参考库存:55529
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:55534
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC hi per
2,000:¥29.8885
参考库存:55539
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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