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无线和射频半导体
HMC273AMS10GE参考图片

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HMC273AMS10GE

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库存:3,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.6353
50.6353
10
¥45.7989
457.989
50
¥43.6406
2182.03
100
¥37.9567
3795.67
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
衰减器
RoHS
封装 / 箱体
MSOP-10
最大衰减
31 dB
最大频率
3.8 GHz
位数
5 bit
通道数量
1 Channel
阻抗
50 Ohms
最大 VSWR
-
衰减器步长
1 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
功率额定值
30 dBm
系列
HMC273
技术
GaAs
类型
Digital Attenuator
商标
Analog Devices / Hittite
介入损耗
3.5 dB
安装风格
SMD/SMT
最小频率
0.7 GHz
湿度敏感性
Yes
工作电源电压
3 V to 5.4 V
产品类型
Attenuators
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
50 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 6GHz ultra fast settling Fractional-N PL
1:¥150.8324
10:¥136.8543
25:¥128.6279
50:¥123.8706
参考库存:1258
无线和射频半导体
射频前端 902-928MHz NF 1.3dB Hi Gain 21dB
1:¥52.4772
100:¥46.4882
250:¥38.9624
500:¥32.9621
1,000:¥23.9786
2,500:¥17.9783
参考库存:12055
无线和射频半导体
射频前端 8Ch Ultrasound Front-End
1:¥1,756.9466
10:¥840.1663
参考库存:1197
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:5089
无线和射频半导体
射频接收器 Switchable Rx-IC For Ind 433MHz
1:¥38.3409
10:¥34.4989
25:¥31.2784
50:¥29.3574
参考库存:23443
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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