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无线和射频半导体
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MRF1K50H-TF3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
135 V
增益
23.7 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
系列
MRF1K50H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935337278598
单位重量
613 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5324ARKZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Sot-89 1/2 W RF Driver Amplifier
1:¥57.9351
10:¥52.1721
25:¥49.0985
50:¥46.104
1,000:¥31.9677
参考库存:6915
MRF89XAT-I/MQ
Microchip Technology
无线和射频半导体
射频收发器 868/915/950 MHz Sub-GHz transceiver
1:¥19.2891
10:¥18.984
25:¥17.515
100:¥15.9782
3,000:¥15.9782
参考库存:5622
TL851CD
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频发射器 Sonar Ranging Control
1:¥54.014
10:¥48.8725
25:¥45.2565
100:¥40.4992
参考库存:1219
RFX1010
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 700/800/900MHZ 0.5 WATT BROADBAND CMOS R
1:¥14.7578
10:¥13.2888
25:¥11.8311
100:¥10.6785
2,500:¥6.1133
参考库存:13696
SI4455-B1A-FMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器 +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
1:¥13.7521
10:¥13.447
25:¥13.221
50:¥12.9837
2,500:¥12.5204
参考库存:6248

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