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无线和射频半导体
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MRF13750HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W
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数量单价合计
1
¥2,406.2446
2406.2446
5
¥2,348.3886
11741.943
10
¥2,290.058
22900.58
25
¥2,257.9434
56448.585
50
¥2,207.3081
110365.405
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
20.5 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF13750H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360897178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 SL2S1502FTB/XSON3///REEL 7 Q1 NDP
1:¥4.3844
10:¥2.8928
100:¥2.3617
1,000:¥1.1752
5,000:¥1.01474
10,000:¥0.94468
参考库存:41026
无线和射频半导体
RFID应答器 NFC MODULE wIth I/F 40mm x 30mm
1:¥212.5417
10:¥197.4788
100:¥161.4431
250:¥128.707
参考库存:1568
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET
1:¥848.3136
5:¥832.7196
10:¥795.2149
25:¥768.7051
参考库存:1505
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 350 - 550 MHz
1:¥91.3605
10:¥83.9816
25:¥80.5238
100:¥70.9188
500:¥66.0824
参考库存:2777
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 2 - 20 GHz
25:¥683.4918
100:¥644.6876
参考库存:1659
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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