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无线和射频半导体
CGHV27030S参考图片

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CGHV27030S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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库存:4,420(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥354.4584
354.4584
250
¥354.4584
88614.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
1:¥775.9258
250:¥775.9258
参考库存:4673
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi Zigbee
1:¥40.341
100:¥35.7306
200:¥29.9676
500:¥25.3572
1,000:¥18.4416
2,500:¥13.8312
参考库存:4590
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:25894
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:3972
无线和射频半导体
PIN 二极管 DIODE PIN SWITCH 50V 2PIN EMD
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:20304
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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