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无线和射频半导体
CGH40035F参考图片

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CGH40035F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
输出功率
45 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.46 mm
工作频率
2 GHz to 4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40035F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
120
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGA2512
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 5-15 GHz LNA Self Biased
140:¥199.2416
280:¥178.653
参考库存:4723
BFU520WF
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
10,000:¥0.72998
参考库存:64085
MC100EP40DTG
ON Semiconductor
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 3.3V/5V ECL Diff Phase Freq. Detector
1:¥145.2276
10:¥133.5434
25:¥128.0177
100:¥112.7288
参考库存:4692
RFX2402E
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz WLAN RFeIC PA+LNA+SPDT 11b/g/n
1:¥6.2263
10:¥5.0172
100:¥3.8533
500:¥3.4013
2,500:¥2.3843
参考库存:17634
MA4P404-30
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥120.8648
10:¥113.4181
25:¥106.5025
50:¥100.0502
参考库存:4331

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