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无线和射频半导体
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AFT31150NR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
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数量单价合计
1
¥1,566.5416
1566.5416
5
¥1,531.5794
7657.897
10
¥1,500.2219
15002.219
25
¥1,478.0965
36952.4125
50
¥1,424.3876
71219.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2700 MHz to 3100 MHz
系列
AFT31150N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
741 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935346512578
单位重量
3.081 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGH55030F1
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
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SI4123-D-GM
Silicon Labs
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锁相环 - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
1:¥54.3304
10:¥51.3246
25:¥49.7878
50:¥48.251
参考库存:7559
ATMEGA128RFR2-ZU
Microchip Technology / Atmel
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射频微控制器 - MCU 2.4GHZ128KSOC Ind85C AVRZLINKMCU 8BIT
1:¥32.883
10:¥32.431
25:¥29.8094
参考库存:7296
CC2595RGTR
Texas Instruments
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射频前端 RF Front-End Trans mit Pwr Amp
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.9438
参考库存:14183
HMC8415LP6GE
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 9.3-9.5 GHz GaN PA
1:¥3,718.2085
5:¥3,678.5568
10:¥3,606.4063
25:¥3,578.7439
参考库存:4570

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