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无线和射频半导体
CGHV40100F参考图片

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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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1
¥2,507.4474
2507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC 30-4200MHz SPDT 30W pulsed 20W CW
1:¥55.2457
25:¥50.6353
100:¥43.3355
参考库存:4545
无线和射频半导体
RF 开关 IC Switch, SP4T
1:¥289.7659
5:¥273.9346
10:¥267.3241
25:¥240.2832
100:¥228.2939
参考库存:4147
无线和射频半导体
射频前端 High Power 2.4-GHz FEM
1:¥39.7986
10:¥35.5046
25:¥31.9677
100:¥29.1201
4,500:¥17.2099
参考库存:3159
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
1:¥4.3053
10:¥3.1979
100:¥2.0114
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:17931
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF Pin Diode
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
参考库存:44288
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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