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无线和射频半导体
CGH40025F参考图片

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CGH40025F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40025F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EXB-24AT3AR3X
Panasonic
无线和射频半导体
衰减器 Attenuator 3 el AEC-Q200
1:¥4.2262
10:¥2.3391
100:¥1.2543
500:¥1.00683
10,000:¥0.51528
参考库存:60299
TGA2512-1-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 4-14 GHz LNA Self Biased
1:¥326.344
25:¥270.2508
100:¥223.7626
250:¥208.1573
参考库存:4826
MHT1006NT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
1,000:¥61.5511
参考库存:6243
ADF7242BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
射频收发器 Lo Pwr IEEE Zero-IF 2.4 GHz
1:¥38.5782
10:¥34.4198
25:¥30.962
50:¥29.5834
参考库存:6115
R3005250L
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 5-300MHz NF 5.8dB Gain 25.5dB
1:¥201.3999
25:¥189.6366
参考库存:3982

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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