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无线和射频半导体
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2SK3476(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥36.8041
368.041
100
¥33.5836
3358.36
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
11.4 dB
输出功率
7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3476
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
单位重量
80 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD6674BCPZRL7-750
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 100/200MHz Dual Band Div
750:¥3,561.1498
参考库存:52289
RF5622TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2.4-2.5GHz 3.3V Gain 30dB
1:¥18.4416
250:¥16.9048
500:¥14.7578
1,000:¥12.2944
2,500:¥9.831
5,000:¥7.9891
参考库存:52294
HMC-APH460
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1W pow amp 27-31.5 GHz
25:¥770.7052
100:¥726.9855
参考库存:52299
LTC5589IUF#TRPBF
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 700MHz to 6GHz L Pwr Direct 4xrature Mod
1:¥86.2868
25:¥57.2458
100:¥47.3357
250:¥44.9514
2,500:¥41.0303
参考库存:52304
A29-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-1500MHz NF 5.5dB Gain 9.0dB
1:¥1,195.8564
参考库存:52309

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    50万现货SKU

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