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无线和射频半导体
CGHV40030F参考图片

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CGHV40030F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.6 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
0.96 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40030-TB1
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPA0060002F
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
1:¥1,340.632
参考库存:1590
HMC1119LP4METR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 7-bit 0.1-6Ghz DATT
1:¥87.2134
10:¥78.8401
25:¥75.145
100:¥65.314
500:¥56.8616
参考库存:2982
F1751NBGI
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 Ultra-Linear Single Ch Mixer Rx 11.8dB
1:¥78.987
10:¥71.077
25:¥64.7716
50:¥60.0143
参考库存:3574
N24RF16DTPT3G
ON Semiconductor
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM T SSOP
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
3,000:¥8.7575
参考库存:16281
CC2642R1FRGZT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU BLUETOOTH SIMPLELINK WIRELESS MCU
1:¥49.4827
10:¥44.7254
25:¥41.3354
100:¥36.9623
250:¥35.1204
参考库存:3568

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