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无线和射频半导体
F2255NLGK参考图片

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F2255NLGK

  • IDT
  • 新批次
  • 衰减器 RF Attenuator 1.1dB 1MHz to 3000MHz
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库存:6,219(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.8618
60.8618
10
¥55.7881
557.881
25
¥50.7144
1267.86
50
¥48.1832
2409.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
IDT (Integrated Device Technology)
产品种类
衰减器
RoHS
封装 / 箱体
QFN-16
最大衰减
34.6 dB
最大频率
3 GHz
位数
-
通道数量
1 Channel
阻抗
50 Ohms
最大 VSWR
-
衰减器步长
1 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
封装
Tray
功率额定值
30 dBm
系列
F2255
技术
Silicon
类型
Voltage Variable RF Attenuator
商标
IDT
介入损耗
1.1 dB
安装风格
SMD/SMT
最小频率
1 MHz
工作电源电压
3.15 V to 5.25 V
产品类型
Attenuators
工厂包装数量
624
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商标名
Glitch-Free
零件号别名
IDTF2255NLGK
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-5 SMT, DC - 7 GHz
暂无价格
参考库存:41041
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 24-40 GHz
暂无价格
参考库存:41046
无线和射频半导体
射频放大器 .1-40GHz Gain 12dB Return Loss 15dB
暂无价格
参考库存:41051
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 50 - 66 GHz
暂无价格
参考库存:41056
无线和射频半导体
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
暂无价格
参考库存:41061
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