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无线和射频半导体
HFA3046BZ参考图片

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HFA3046BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
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库存:13,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.5456
645.456
50
¥61.5511
3077.555
100
¥53.4829
5348.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3046
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-14
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
8.65 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.9 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
130 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
1:¥775.9258
250:¥775.9258
参考库存:4673
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi Zigbee
1:¥40.341
100:¥35.7306
200:¥29.9676
500:¥25.3572
1,000:¥18.4416
2,500:¥13.8312
参考库存:4590
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:25894
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:3972
无线和射频半导体
PIN 二极管 DIODE PIN SWITCH 50V 2PIN EMD
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:20304
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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