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无线和射频半导体
MML09212HT1参考图片

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MML09212HT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频放大器 LNA p9GHZ 21P1 2st 3X3 1
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数量单价合计
1
¥71.077
71.077
10
¥63.5512
635.512
25
¥57.2458
1431.145
50
¥54.4773
2723.865
1,000
¥33.8887
33888.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-12
类型
Low Noise Amplifier
工作频率
400 MHz to 1400 MHz
P1dB - 压缩点
22.8 dBm
增益
37.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
0.52 dB
测试频率
900 MHz
OIP3 - 三阶截点
37 dBm
工作电源电流
150 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MML09212H
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
输入返回损失
- 24 dB
隔离分贝
- 58 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
1000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
935321661167
单位重量
22 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 13.4-16.5GHz 25W GaN SSG >33dB PAE >28%
暂无价格
参考库存:41477
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
暂无价格
参考库存:41482
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand pow amp, 17.5 - 41 GHz
暂无价格
参考库存:41487
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 13 GHz
暂无价格
参考库存:41492
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:41497
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    50万现货SKU

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