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无线和射频半导体
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MRFE6VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
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库存：5,582(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,145.4519
2145.4519
5
¥2,097.5738
10487.869
10
¥2,054.6225
20546.225
25
¥2,024.3498
50608.745
50
¥1,950.8094
97540.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
18.8 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE6VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
15.6 S
Pd-功率耗散
1.52 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.07 V
零件号别名
935321656178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GC4721-00
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
100:¥58.1724
250:¥53.4829
500:¥48.7143
1,000:¥42.488
参考库存:56957
MY87C
MACOM
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射频混合器
10:¥6,641.8236
参考库存:56962
109728-HMC129LC4
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Eval PCB
1:¥2,077.3694
参考库存:7808
EFR32MG12P132F1024GL125-BR
Silicon Labs
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RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC BGA125 2.4 G 10 dB mesh multi-protocol 1024 kB 128 kB (RAM) 65GPIO
2,500:¥59.325
参考库存:56969
MAX2077CTN+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频前端 8Ch Ultrasound Front-End
20:¥274.3979
参考库存:22555

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