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无线和射频半导体
MRFE6VP61K25HSR5参考图片

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MRFE6VP61K25HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
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库存:5,065(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,350.0788
1350.0788
5
¥1,319.953
6599.765
10
¥1,292.9121
12929.121
25
¥1,273.849
31846.225
50
¥1,227.5981
61379.905
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314409178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 LOW-POWER INTG UHF TRANSCEIVER
1:¥30.4309
10:¥24.5097
100:¥22.2836
250:¥20.2044
2,500:¥14.0572
参考库存:27664
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,690.48
25:¥1,525.6582
参考库存:5552
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:20369
无线和射频半导体
射频前端 MFRC63003HN/HVQFN32///REEL 13 Q1 DP
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
6,000:¥18.7467
参考库存:27673
无线和射频半导体
射频放大器 5-210MHz Gain 15.2dB NF 3.8dB
1:¥18.1365
25:¥16.9048
100:¥15.7522
200:¥14.5205
参考库存:5751
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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