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无线和射频半导体
2SC5066-O,LF参考图片

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2SC5066-O,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72998
2189.94
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5066
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240 at 10 mA at 5 V
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
30 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC8401
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Die Sales
25:¥1,020.5934
50:¥1,014.288
参考库存:3736
TGA4532-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 17.7-19.7GHz Pwr 32.5dBm NF 7dB
1:¥301.0546
25:¥255.9563
50:¥255.9563
100:¥218.3047
250:¥195.716
500:¥173.116
参考库存:3863
A35-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 2-2400MHz NF 4.2dB Gain 9.0dB
1:¥1,164.2051
参考库存:25917
HMC-APH462-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp15-27GHz
2:¥1,664.2753
6:¥1,640.76
10:¥1,593.8876
26:¥1,511.827
参考库存:3970
A2T21H360-24SR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,358.9154
5:¥1,328.5636
10:¥1,301.4436
25:¥1,282.1545
150:¥1,207.8457
参考库存:25924

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    50万现货SKU

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