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无线和射频半导体
HMC221BETR参考图片

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HMC221BETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • RF 开关 IC SPDT Reflective Switch SMT, DC - 3 GHz
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库存:11,921(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥20.1366
201.366
100
¥16.5206
1652.06
250
¥15.6731
3918.275
500
¥14.0572
7028.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
RF 开关 IC
RoHS
开关数量
Single
开关配置
SPDT
工作频率
DC to 3 GHz
介入损耗
0.4 dB
关闭隔离—典型值
29 dB
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
HMC221B
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
最小工作温度
- 40 C
Pd-功率耗散
0.36 W
产品类型
RF Switch ICs
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
15 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 9-10GHz P1dB > 40dBm Gain 32dB PAE > 46%
暂无价格
参考库存:40552
无线和射频半导体
射频放大器 DC-45GHz MMIC Med-Pwr Amp PLFX
暂无价格
参考库存:40557
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
暂无价格
参考库存:40562
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 71 - 86 GHz
暂无价格
参考库存:40567
无线和射频半导体
射频放大器 DC-2.5GHz NF 4.8dB Gain 15.1dB
100:¥39.9568
参考库存:40572
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