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无线和射频半导体
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMA1212
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器
1:¥1,555.7049
参考库存:3120
ADF4154BRUZ-RL7
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,000:¥23.2102
参考库存:3572
MN63Y1212-E1
Panasonic
无线和射频半导体
RFID应答器 NFC FeliCa, TypeB AES Encrypt
1:¥19.436
10:¥15.7522
100:¥11.752
500:¥10.9836
5,000:¥7.5597
参考库存:28104
NBB-502-T1
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-4GHz Gain 19dB P1dB 13dBm@2GHz
1:¥112.3446
25:¥86.0608
100:¥67.235
250:¥55.709
500:¥49.946
1,000:¥43.8779
参考库存:7606
BAP51-02-TP
Micro Commercial Components (MCC)
无线和射频半导体
PIN 二极管 715mW 50mA, 1.1V
1:¥4.068
10:¥2.2261
100:¥1.1865
500:¥0.95259
8,000:¥0.49155
参考库存:42978

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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