HMC653LP2E原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	SMT-6
最大衰减	3 dB
最大频率	25 GHz
位数	-
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
最大 VSWR	-
衰减器步长	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
长度	2 mm
封装	Cut Tape
功率额定值	26 dBm
系列	HMC653G
技术	GaAs
容差	0.5 dB
类型	Fixed Attenuator
商标	Analog Devices / Hittite
安装风格	SMD/SMT
最小频率	DC
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	145 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TQP369181	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-6GHz NF 3.6dB Gain 15.3dB 50 Ohm	1:¥17.3681 25:¥13.2888 100:¥10.3734 250:¥8.6106 3,000:¥6.8365	参考库存:52924
MRFE6S9060NR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET	1:¥275.2454 5:¥266.0924 10:¥256.8716 25:¥253.8771 500:¥206.0894	参考库存:4916
SL3S1214FTB0/1X	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 SL3S1214FTB0/XSON6//1/REEL 7 Q1 NDP	1:¥3.842 10:¥2.5199 100:¥2.0566 1,000:¥1.02152 5,000:¥0.88366 10,000:¥0.82264	参考库存:25783
MRFX1K80NR5	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz	1:¥1,632.0816 5:¥1,595.7408 10:¥1,563.1516 25:¥1,540.0318 50:¥1,484.0855	参考库存:2215
TGL4201-00	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 DC-50 GHz Fixed Atten-0dB (Thru)	200:¥19.2891 400:¥17.289 600:¥15.2889 1,000:¥13.2888 2,600:¥13.0628	参考库存:39947