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无线和射频半导体
HMC814LC3BTR参考图片

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HMC814LC3BTR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 x2 Active mult SMT, 13 - 24.6 GHz Fout
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数量单价合计
1
¥397.1046
397.1046
5
¥385.8159
1929.0795
10
¥370.527
3705.27
25
¥343.859
8596.475
100
¥321.6545
32165.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMT-12
类型
Multiplier
技术
GaAs
工作频率
24.6 GHz
P1dB - 压缩点
-
增益
-
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
-
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
88 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC814G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
频率范围
13 GHz to 24.6 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
2 Channel
输入返回损失
10 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
743 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 NCF29A7MHN3/HVQFN32//0200I/REEL 13 Q1 DP
6,000:¥26.3516
参考库存:57150
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator
暂无价格
参考库存:57155
无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
参考库存:57160
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1,000:¥46.33
2,000:¥44.6463
参考库存:57165
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 800MHz Band LNA GaAs MMIC
3,000:¥4.1132
参考库存:57170
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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