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无线和射频半导体
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AFT09MS007NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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30.51
10
¥27.9675
279.675
25
¥25.4363
635.9075
100
¥22.8938
2289.38
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¥17.1308
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
400 mV, 30 V
增益
15.2 dB
输出功率
7.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
870 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
114 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935318254515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TDK5116F
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频发射器 ASK/FSK TRANSMITTER 10 PIN PKG
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
5,000:¥5.1189
参考库存:27143
CYBL10573-56LQXI
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PROC BLE
1:¥66.3084
10:¥59.6301
25:¥54.3304
50:¥50.2511
参考库存:4160
CC2420RGZT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 SGL-Chip 2.4 GHz 射频收发器
1:¥78.987
10:¥71.3821
25:¥66.1615
100:¥59.1668
250:¥56.1723
参考库存:2167
AFT18H357-24SR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
1:¥1,321.1056
5:¥1,291.6013
10:¥1,265.1706
25:¥1,246.503
150:¥1,174.2734
参考库存:24451
HMC630LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
调节器/解调器 HBT Vector Modulator SMT, 700 - 1000 MHz
1:¥177.2744
5:¥167.5112
10:¥163.511
25:¥146.9226
参考库存:2174

  • 海量现货

    50万现货SKU

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