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无线和射频半导体
HMC-ALH382参考图片

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HMC-ALH382

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 57 - 65 GHz
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库存:1,918(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥381.7366
19086.83
100
¥353.7691
35376.91
250
¥343.633
85908.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
RF Amplifier
技术
GaAs
工作频率
65 GHz
P1dB - 压缩点
12 dBm
增益
21 dB
工作电源电压
2.5 V
NF—噪声系数
3.8 dB
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
64 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH382G
封装
Gel Pack
频率范围
57 GHz to 65 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
3 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 Integrated DPD Mixer with WB Synth
1:¥179.1163
5:¥173.116
10:¥166.901
25:¥158.9006
750:¥144.9225
参考库存:4603
无线和射频半导体
调节器/解调器 1.5GHz - 2.5GHz Quadrature Demodulator
1:¥73.3822
25:¥48.7143
100:¥40.2619
250:¥38.2618
参考库存:2135
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
500:¥402.0992
参考库存:24099
无线和射频半导体
射频放大器 5-6 GHz 60 Watt GaN Power Amplifier
1:¥6,101.096
参考库存:1852
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz SiGe Predriver
1:¥27.7415
10:¥26.3516
25:¥20.2835
50:¥17.289
参考库存:3554
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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