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无线和射频半导体
2SK3475TE12LF参考图片

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2SK3475TE12LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥8.1473
8147.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
14.9 dB
输出功率
630 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3475
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
4,000:¥13.2888
参考库存:43097
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥1.04525
20,000:¥0.9831
50,000:¥0.9605
参考库存:43102
无线和射频半导体
射频放大器 5-220MHz Integrated Reverse Amplifier
100:¥204.9368
参考库存:43107
IDT
无线和射频半导体
衰减器 Wideband Variable RF 1.4dB 2K MHz 33.6dB
2,500:¥31.4253
参考库存:43112
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M3, +13 dBm EZRadio, QFN64 wireless MCU
260:¥33.2672
520:¥31.3462
1,040:¥30.8942
参考库存:43117
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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