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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	Screw
封装 / 箱体	-
类型	Power Amplifier
技术	GaN
工作频率	6 GHz to 12 GHz
P1dB - 压缩点	46.2 dBm
增益	33 dB
工作电源电压	28 V
NF—噪声系数	-
测试频率	-
OIP3 - 三阶截点	-
工作电源电流	2 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Bulk
带宽	-
商标	Wolfspeed / Cree
通道数量	1 Channel
开发套件	-
输入返回损失	- 5 dB
隔离分贝	-
Pd-功率耗散	35 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	2
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	-
电源电压-最小	-

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F1325NBGI8	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 DPD Demod 0.35 Sige Bicmos	2,500:¥80.2187	参考库存:52665
SI4320-J1-FT1R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 RX SubG	2,000:¥20.0575	参考库存:52670
NJG1709KC1-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 1.5/1.9 GHz Mxr	3,000:¥10.2152	参考库存:52675
LSP1000-150A	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	40:¥206.3154 50:¥201.479 100:¥191.7158 250:¥175.9636 500:¥167.5112	参考库存:52680
NJG1739K51-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5GHz Band SPDT GaAs MMIC 3.6V	5,000:¥2.0001	参考库存:52685

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