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无线和射频半导体
BFP 640 H6327参考图片

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BFP 640 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:32,170(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8193
181.93
1,000
¥1.4125
1412.5
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
40 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640H6327XTSA1 BFP64H6327XT SP000745306
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU AVR Z-Link BUNDLE
119:¥98.2761
250:¥89.7446
500:¥84.0607
1,000:¥77.3824
参考库存:57089
无线和射频半导体
射频无线杂项 IC REMOTE KEYLESS ENTRY
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.1256
2,500:¥18.8258
参考库存:57094
无线和射频半导体
射频混合器 BiCMOS MMIC Mix w/Int LO amp, 2.0-2.7GHz
500:¥116.5708
参考库存:57099
无线和射频半导体
射频放大器 500-4000MHz IL <3dB Max. Attn >28dB SMA
1:¥16,037.9657
参考库存:57104
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
参考库存:57109
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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