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无线和射频半导体

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MW6S010GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
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数量单价合计
1
¥159.7481
159.7481
10
¥146.9226
1469.226
25
¥140.3912
3509.78
100
¥124.0966
12409.66
500
¥107.1918
53595.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
增益
18 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
1.5 GHz
系列
MW6S010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
61.4 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935324159528
单位重量
548 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY13374-397LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC 300KHz-6.0GHz SPDT GaAs IL .35dB
1:¥6.6896
10:¥6.0116
25:¥5.198
100:¥4.6895
3,000:¥2.7685
参考库存:23338
F1763NBGI
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 DPD MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
1:¥80.682
10:¥72.6138
25:¥66.1615
50:¥61.3138
参考库存:5945
MAX2870ETJ+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL/VCO
1:¥89.7446
10:¥78.535
25:¥69.0769
100:¥65.088
参考库存:5777
ADF4360-9BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Clock Generator w/ Intg VCO
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
参考库存:4429
PFD1K
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
预定标器 Dual 40GHz 0.4Vp-p -153dBc/Hz PD 1.32W
1:¥2,971.4819
5:¥2,792.3656
参考库存:3531

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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