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无线和射频半导体
PD55003-E参考图片

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PD55003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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数量单价合计
1
¥96.5133
96.5133
10
¥88.7502
887.502
25
¥85.0664
2126.66
100
¥74.919
7491.9
250
¥71.2352
17808.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RFPA5512TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.85GHzGain 33dB Pout 23dBm
1:¥23.5153
250:¥21.5943
500:¥18.8258
1,000:¥15.6731
2,500:¥12.5995
参考库存:14989
AFE5401TRGCTQ1
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频前端 Quad-CH Intg AFE
1:¥254.4986
5:¥243.967
10:¥234.7462
25:¥224.2146
250:¥191.2525
参考库存:5056
F1192BNLGK
IDT
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥90.8294
10:¥82.5239
25:¥76.3767
50:¥74.3088
参考库存:5443
MRF148A
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥291.6078
10:¥280.5451
参考库存:3950
HMC644ALC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 5-Bit dig Phase Shifter SMT, 15 - 18.5
1:¥1,219.9932
5:¥1,202.7042
10:¥1,168.3522
25:¥1,108.2588
参考库存:3122

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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