BGM15LA12E6327XTSA1原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SLP-12
类型	Low Band
工作频率	0.7 GHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	- 11 dBm
增益	17.5 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	1.1 dB
OIP3 - 三阶截点	- 4 dBm
工作电源电流	4.9 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	60 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	4500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	15LA12 BC857BWH6327XTSA1 BGM E6327 SP001215968

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAX7037EGL+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Sub1GHzMultiband SoC	4,500:¥24.2837	参考库存:53471
AM-182-PIN	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5-1000MHz NF: 4.5dB VSWR 2.0:1	10:¥1,344.70	参考库存:53476
BGA 735N16 E6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RF SILICON MMIC	7,500:¥5.6726	参考库存:53481
MF1SEP1031DA4/03J	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 Secure Contactless Smart Card IC	17,500:¥3.4691	参考库存:53486
PXAC241002FC-V1-R2	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥597.1259	参考库存:53491

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