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无线和射频半导体
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HMC349ALP4CE

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库存:3,674(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.9461
51.9461
10
¥46.9515
469.515
50
¥44.7932
2239.66
100
¥38.8833
3888.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
RF 开关 IC
RoHS
开关数量
Dual
开关配置
SPDT
工作频率
DC to 4 GHz
介入损耗
1.4 dB
关闭隔离—典型值
62 dB
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Cut Tape
系列
HMC349A
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
工作电源电流
1 mA
Pd-功率耗散
0.969 W
产品类型
RF Switch ICs
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5 V
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 12 GHz
暂无价格
参考库存:40406
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:40411
无线和射频半导体
射频前端 2.5 GHz PA 3.3V
2,500:¥7.91
参考库存:40416
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
暂无价格
参考库存:40421
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp, 37-40 GHz
暂无价格
参考库存:40426
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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