您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
BFU550R参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BFU550R

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:112,360(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4352
34.352
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067704215
单位重量
9 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频无线杂项 RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output
1:¥67.6983
10:¥64.0032
25:¥62.0822
50:¥60.2403
参考库存:2578
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartMesh IP Mote-on-Chip, Eterna (QFN), unprogrammed
1:¥178.4948
25:¥142.7642
100:¥116.3335
250:¥113.7232
500:¥109.3388
参考库存:1585
无线和射频半导体
射频放大器 10 GHz gain block LinrDrive/GainBlock
1:¥284.4662
5:¥268.8609
10:¥262.4086
25:¥235.8197
50:¥235.8197
参考库存:1667
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,042.4863
2:¥1,993.3087
5:¥1,964.1095
10:¥1,936.368
参考库存:1689
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V/5V Programmable PLL Clock Generator
1:¥80.682
10:¥74.2297
25:¥71.1561
100:¥62.6246
参考库存:1666
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们