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无线和射频半导体
CGH60015D-GP4参考图片

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CGH60015D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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10
¥358.9219
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
1.06 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H410-24SR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,282.0754
参考库存:56474
EM341-RT
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF4CE Remote, SoC, 128 kB flash, 12 kB RAM
1:¥35.8097
10:¥33.8096
25:¥32.8152
50:¥31.8095
参考库存:56479
MMRF1314GSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,786.4492
参考库存:56484
MA4P504-30
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥120.8648
10:¥113.4181
25:¥106.5025
50:¥100.0502
参考库存:56489
ASMA101
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥391.884
10:¥359.6112
25:¥322.728
50:¥285.8448
100:¥238.8933
参考库存:56494

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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