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无线和射频半导体
CGH60008D-GP4参考图片

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CGH60008D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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10
¥168.0536
1680.536
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
8 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
820 um
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX7060ATG+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频发射器 280-450MHz Prog ASK/FSK Transmitter
1:¥24.6679
25:¥17.5941
100:¥17.063
250:¥16.3624
参考库存:4543
EXB-24AT2AR3X
Panasonic
无线和射频半导体
衰减器 2DB 50Ohms
1:¥4.2262
10:¥2.3391
100:¥1.2543
500:¥1.00683
10,000:¥0.51528
参考库存:72310
HMC1063LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 mix, IQ, 24-28GHz
1:¥158.7537
10:¥145.9169
25:¥139.9279
100:¥123.2491
参考库存:3657
BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:51904
HMC653LP2ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 Fixed atten-3db
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥43.957
100:¥38.194
500:¥33.2672
参考库存:5016

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    50万现货SKU

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