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无线和射频半导体
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ARF463AG

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 NCF29A7MHN3/HVQFN32//0200I/REEL 13 Q1 DP
6,000:¥26.3516
参考库存:57150
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator
暂无价格
参考库存:57155
无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
参考库存:57160
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1,000:¥46.33
2,000:¥44.6463
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NJR
无线和射频半导体
射频放大器 800MHz Band LNA GaAs MMIC
3,000:¥4.1132
参考库存:57170
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    保证原装正品

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