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无线和射频半导体
AFT20S015GNR1参考图片

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AFT20S015GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
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数量单价合计
1
¥224.757
224.757
5
¥214.926
1074.63
10
¥207.3889
2073.889
25
¥180.9582
4523.955
500
¥156.0643
78032.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
132 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.6 dB
输出功率
1.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
100 MHz to 3.6 GHz
系列
AFT20S015N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
11 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314968528
单位重量
548 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F2912NCGI/W
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC H-REL ISO Sgl Pole DBL-Throw RF Switch
4,000:¥17.3681
参考库存:51914
EFR32BG1P332F256GJ43-C0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +19.5 dBm, WLCP43, BLE, proprietary
2,500:¥92.9764
参考库存:51919
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:51924
EFR32FG14P232F256GM32-BR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 2.4 G 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
2,500:¥33.8887
参考库存:51929
PTRA093302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥768.40
参考库存:51934

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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