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无线和射频半导体
BFP840FESDH6327XTSA1参考图片

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BFP840FESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:31,167(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
3,000
¥1.1413
3423.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP840
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.6 V
集电极连续电流
35 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
85 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
840FESD BFP BFP84FESDH6327XT H6327 SP000977846
单位重量
1.800 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:5582
无线和射频半导体
射频前端 Contactless ReaderIC
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:37634
无线和射频半导体
衰减器 50-6000GHz 3.3V IN 1dB 30dBm
1:¥59.0877
25:¥45.2565
100:¥35.4255
250:¥29.3574
2,500:¥20.2044
参考库存:6586
无线和射频半导体
射频前端 2GHz 24dBm 5V 11ac FEM with RX filter po
1:¥23.7413
10:¥21.357
25:¥19.2891
50:¥18.2834
4,500:¥11.8311
参考库存:26793
无线和射频半导体
射频放大器 0.6-4.2 GHz Low Noise Amplifier
1:¥35.1204
25:¥26.894
100:¥20.9728
250:¥17.3681
2,500:¥13.673
参考库存:13345
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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