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无线和射频半导体
BFP 740ESD H6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BFP 740ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:24,758(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5481
1548.1
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP74ESDH6327XT SP000785486
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Low Noise Amplifier
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:79101
无线和射频半导体
射频放大器 RFIC w/active bias 75 Ohm 1002 MHz
1:¥27.6624
25:¥23.5153
100:¥20.0575
250:¥15.9104
1,000:¥10.3734
参考库存:6498
无线和射频半导体
射频放大器 2.8-3.7GHz Gain>18dB 30 Watt GaN
1:¥2,197.624
25:¥1,705.848
参考库存:4505
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 DPD Mixer 0.25 UM SIGE BICMOS
1:¥158.4486
5:¥152.5274
10:¥146.6062
25:¥134.696
参考库存:5237
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr=200Vdc Trr=20nS Rs@10mA 2.5ohms
100:¥10.7576
200:¥10.0683
参考库存:11899
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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