BGA7M1N6E6327XTSA1原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSNP-6
类型	Low Noise Amplifier
工作频率	1805 MHz to 2200 MHz
增益	13 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	0.6 dB
OIP3 - 三阶截点	8 dBm
工作电源电流	4.5 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
输入返回损失	10 dB
隔离分贝	21 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	15000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	7M1N6 BGA E6327 SP001109138
单位重量	1 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RFFM5765QTR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2400-2500MHz 3.0V to 4.8V	1:¥54.8615 100:¥48.6352 250:¥40.8043 500:¥34.4989 2,500:¥18.8258	参考库存:16474
CZB06S04040050LEA	Vishay / Dale	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 4dB	1:¥1.7628 50:¥1.6159 100:¥1.3108 500:¥1.2317 4,000:¥0.92208	参考库存:23726
QPD1008L	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN	1:¥1,536.80 25:¥1,329.332	参考库存:4128
DA14581-00UNA	Dialog Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC optimized for A4WP and HCI applications 12 GPIOs in WL-CSP34 and 0.4mm ball pitch package	1:¥22.3627 10:¥18.0574 100:¥14.4414 500:¥12.5995 5,000:¥9.379	参考库存:9200
NSVP249SDSF3T1G	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 PIN DI SERIES RS 4.5 OHM	1:¥3.2996 10:¥2.7685 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.10627 9,000:¥1.09836	参考库存:17747