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无线和射频半导体
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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC751LC4TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 17 - 27 GHz
100:¥324.9541
200:¥315.5864
参考库存:53247
AD6674BCPZ-1000
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
1:¥5,707.291
5:¥5,628.304
参考库存:53252
NJM2292V-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频无线杂项 Narrow Band FM IF IC
1:¥9.2208
10:¥8.2264
25:¥6.9156
50:¥6.2037
2,000:¥5.537
参考库存:53257
SD3932
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,246.729
5:¥1,216.7614
10:¥1,186.4887
25:¥1,169.889
参考库存:53262
AFT26H160-4S4R3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S
250:¥704.3177
参考库存:53267

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    50万现货SKU

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