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无线和射频半导体
T1G2028536-FL参考图片

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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD8350ARMZ15-REEL7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 IC RF/IF 1 GHz
1:¥48.7934
10:¥43.8779
25:¥41.3354
50:¥38.8042
1,000:¥26.9731
参考库存:4271
TH72032KDC-BAA-000-RE
Melexis
无线和射频半导体
射频发射器 868/915MHz ASK Transmitter
1:¥18.3625
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
3,000:¥7.9891
参考库存:25475
MAX2170ETL+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
调谐器 Direct-Conversion to Low-IF Tuner
1:¥60.0143
10:¥56.6356
25:¥45.2565
50:¥43.0304
2,500:¥27.1991
参考库存:15678
MAAMSS0042TR
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 3dB Gain 15dB 75 Ohm
1:¥32.0468
10:¥24.747
100:¥22.5096
250:¥20.3626
1,000:¥14.9047
参考库存:4205
ADF4007BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Freq Divider/ Synthesizer
1:¥42.6462
10:¥38.0358
25:¥34.2729
50:¥32.657
参考库存:3197

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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