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无线和射频半导体
F2250NLGK参考图片

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F2250NLGK

  • IDT
  • 新批次
  • 衰减器 Wideband Variable RF 1.4dB 2K MHz 33.6dB
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库存:6,035(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.8618
60.8618
10
¥55.7881
557.881
25
¥50.7144
1267.86
50
¥48.1832
2409.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
IDT (Integrated Device Technology)
产品种类
衰减器
RoHS
封装 / 箱体
TQFN-EP-16
最大衰减
35 dB
最大频率
6 GHz
位数
-
通道数量
1 Channel
阻抗
50 Ohms
最大 VSWR
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
高度
0.9 mm
长度
3 mm
封装
Tray
功率额定值
30 dBm
系列
F2250
技术
Silicon
类型
Voltage Variable RF Attenuator
宽度
3 mm
商标
IDT
介入损耗
1.9 dB
安装风格
SMD/SMT
最小频率
50 MHz
工作电源电压
3.15 V to 5.25 V
产品类型
Attenuators
工厂包装数量
624
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商标名
Glitch-Free
零件号别名
F2250 IDTF2250NLGK
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 2400-2500MHz 3.0V to 4.8V
1:¥54.8615
100:¥48.6352
250:¥40.8043
500:¥34.4989
2,500:¥18.8258
参考库存:16474
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 4dB
1:¥1.7628
50:¥1.6159
100:¥1.3108
500:¥1.2317
4,000:¥0.92208
参考库存:23726
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:4128
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC optimized for A4WP and HCI applications 12 GPIOs in WL-CSP34 and 0.4mm ball pitch package
1:¥22.3627
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
5,000:¥9.379
参考库存:9200
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN DI SERIES RS 4.5 OHM
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.10627
9,000:¥1.09836
参考库存:17747
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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