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无线和射频半导体
BFR843EL3E6327XTSA1参考图片

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BFR843EL3E6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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40.68
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9097
1909.7
15,000
¥1.5255
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
230
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
集电极连续电流
55 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
12 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
125 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
843EL3 BFR E6327 SP001062610
单位重量
0.470 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1132PM5ETR
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